JungHun Kim, Hai Au Huynh, and SoYoung Kim
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작성자: 관리자 댓글: 0 조회수: 133 날짜: 2023-04-04본문
저자 : JungHun Kim, Hai Au Huynh, and SoYoung Kim
논문명 : Modeling of FinFET Parasitic Source/Drain Resistance With Polygonal Epitaxy
게재지 : IEEE Transactions on Electron Devices
게재정보 : Vol. 64, No. 5, pp.2072-2079,
게재일자 : 201705
분류 : SCI
연구실 : ICDS
논문명 : Modeling of FinFET Parasitic Source/Drain Resistance With Polygonal Epitaxy
게재지 : IEEE Transactions on Electron Devices
게재정보 : Vol. 64, No. 5, pp.2072-2079,
게재일자 : 201705
분류 : SCI
연구실 : ICDS
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