| 58 |
S. Bae, H. Oh, W. Choi, J. Shin, Y. Chen, H. Jeon, Y. Choi, S. Nam, S. Bin, Y. Lee, K.-Y. Lee, K. C.… |
60 W Class-E/F3 Switching Power Amplifier With an Improved Second Harmonic Distortion of −49 dBc |
IEEE Access |
vol. 12, pp.41980-41987 |
2024-02-01 |
SCIE |
MCS |
| 57 |
S. Woo, W. Choi, J. Shin, Y. Chen, Y. C. Choi, S. Bae, H, Jeon, Y, Woo, Y, Yang |
Bandwidth Extension of the Doherty Power Amplifier Using the Impedance Distribution and Control Circuit for the Post-Matching Network |
JOURNAL OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE |
vol. 24, no. 4, 401 - 410 |
2024-07-01 |
SCIE |
MCS |
| 56 |
Y. C. Choi, S. Bin, K. C. Hwang, K.-Y. Lee, Y. Yang |
23.5 - 27.5 GHz Band Doherty Power Amplifier Integrated Circuit Using 28 nm Bulk CMOS Process Based on Dynamic Power Dividing Network |
MDPI Electronics |
vol. 13, no. 21, pp. 4190 |
2024-10-01 |
SCIE |
MCS |
| 55 |
이윤환, 송재성, 양영구 |
Virtual Short-Stub와 Complex Combining Load를 이용한 3.4~4.4 GHz 고효율 비대칭 도허티 전력증폭기 설계 |
한국전자파학회지 |
제35권 7호 pp. 555 - 562 |
2024-07-01 |
국내 |
MCS |
| 54 |
이명하, 강현욱, 송재성, 양영구 |
위상 제어 네트워크를 이용한 3.3~4.3 GHz 광대역 비대칭 도허티 전력증폭기 |
한국전자파학회지 |
제35권 8호 pp. 613 - 621 |
2024-08-01 |
국내 |
MCS |
| 53 |
유은주, 진일비, 배순철, 빈수현, 이윤정, 주윤형, 양영구 |
간략화된 출력 네트워크와 종합적인 출력 Back-off 확장 기술을 적용한 1~2 GHz 광대역 Doherty 전력증폭기 |
한국전자파학회지 |
제35권 10호 pp. 816 - 827 |
2024-10-01 |
국내 |
MCS |
| 52 |
송재성, 배순철, 빈수현, 양영구 |
비대칭 소자와 Out-Phased Current Combining 방식을 사용한 광대역 Doherty 전력증폭기 |
한국전자파학회지 |
제35권 11호 pp. 868 - 879 |
2024-11-01 |
국내 |
MCS |
| 51 |
이호연, 최길웅, 임평순, 양영구 |
AESA 레이다용 송수신모듈 송수신 동시 운용 성능 측정 |
한국전자파학회지 |
제35권 11호 pp. 943 - 950 |
2024-11-01 |
국내 |
MCS |
| 50 |
Y. Chen, W. Choi, J. Shin, H. Jeon, S. Bae, S. Bin, Y. C. Choi, H. Oh, H. Kang, K.-Y. Lee, K. C. Hwa… |
Simplified All-in-One Load Network of the Broadband Doherty Power Amplifier |
IEEE Transactions on Microwave Theory Techniques |
vol. 73, no. 2, pp. 953 - 964 |
2025-02-03 |
SCI |
MCS |
| 49 |
Young Chan Choi, Soohyun Bin, Keum Cheol Hwang, Kang-Yoon Lee, Youngoo Yang |
23.5–27.5 GHz Band Doherty Power Amplifier Integrated Circuit Using 28 nm Bulk CMOS Process Based on Dynamic Power Dividing Network |
Electronics |
vol. 13, no. 21, pp. 4190 |
2024-10-01 |
SCIE |
MCS |
