국내 반도체 팹리스 파라피에이가 그동안 미국 Q사가 사실상 독점해 온 방산 반도체 핵심 부품인 'X-밴드(band) 프론트엔드 모듈(FEM)' 4종을 순수 국산 기술로 개발했다고 15일 밝혔다.

파라피에이는 지난 2021년 성균관대학교 양영구 교수 연구실에서 학내 창업한 팹리스 기업으로, 고난도 화합물 반도체 설계 분야에서 주목받고 있는 스타트업이다.

방산·우주 핵심 기술... 높은 진입장벽 뚫었다

방산 및 우주 분야의 송수신 집적회로는 우수한 성능과 극도로 높은 신뢰성이 동시에 요구되어, 일반 실리콘 반도체가 아닌 GaN(질화갈륨), GaAs(갈륨비소) 등 

화합물 반도체를 주로 사용한다.

이번에 파라피에이가 개발한 FEM은 레이더나 통신시스템 안테나 바로 전면에 위치하는 고집적 반도체 모듈이다. 하나의 모듈 내에 스위치, 리미터, 고출력증폭기(HPA), 

저잡음증폭기(LNA) 등 서로 다른 공정으로 제작된 다중 칩들을 단일 패키지 형태로 집적해야 한다. 이 과정에서 발생하는 고출력 방열 문제와 신호 간섭 등을 동시에 해결해야 해, 

방산 반도체 중에서도 가장 진입장벽이 높은 제품군으로 꼽혀왔다.

특히 X-밴드(9~10 GHz) 대역은 현대 전장품의 핵심인 능동전자주사배열(AESA) 레이더를 비롯해 각종 방공 레이더, 미사일 등에 광범위하게 사용되는 핵심 주파수다. 

기술 경쟁이 치열할 뿐만 아니라 인접 주파수 대역으로의 기술 확장성도 매우 높다.

미 Q사 제품 상회하는 성능 확보, 라인업 구축 완료

파라피에이가 이번에 선보인 X-밴드 FEM 제품군은 출력과 포트 구성에 따라 총 4종으로 분류된다.

• -4개 입출력 포트를 갖춘 6×6mm² 크기의 16W급 및 8W급 FEM 2종 (부품번호: FR100XQ4, FR050XQ4)

• -스위치를 포함해 3개 입출력 포트를 갖춘 7×7mm² 크기의 10W급 및 5W급 FEM 2종 (부품번호: FR100XQ3, FR050XQ3)

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파라피에이 관계자는 "이번에 개발된 제품들은 대부분의 주요 제원에서 기존 시장을 독점하던 미국 Q사의 제품과 동등하거나 이를 상회하는 성능을 달성했다"며 기술력을 자신했다.

또한 "FEM 모듈뿐만 아니라 내부에 사용되는 개별 HPA(고출력증폭기)와 LNA(저잡음증폭기) MMIC 역시 단품 패키지 형태로 제품화를 완료했다"고 덧붙였다. 

현재 해당 제품들의 상세 사양이 담긴 데이터시트는 파라피에이 공식 홈페이지에서 확인할 수 있다.

기사 출처 : 파라피에이, 방산반도체 부품 'X밴드 FEM' 4종 개발 - ZDNet korea